600V CoolMOS™ C7超结（SJ）MOSFET系列可将关断损耗（E操作系统)与CoolMOS相比™ CP，在PFC、TTF和其他硬开关拓扑中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7也是高功率密度充电器设计的完美匹配。
效率和TCO（总拥有成本）应用程序，如大数据中心和高效电信整流器（>96%），受益于CoolMOS提供的更高效率™ C7.PFC中可以实现0.3%至0.7%的增益，LLC拓扑中可以实现0.1%的增益。例如，对于2.5kW服务器PSU，使用600V CoolMOS™ TO-247 4pin封装中的C7 SJ MOSFET可使PSU能量损失的能量成本降低约10%。
特色
- 降低开关损耗参数，如Q G、C oss、E oss
- 最佳品质因数Q G*R DS（开启）
- 增加开关频率
- 世界最佳R*A
- 坚固的体二极管
- 能够提高开关频率而不损失效率
- 显示轻载和满载效率关键参数的测量
- 将开关频率提高一倍将使磁性元件的尺寸减半
- 相同R DS的较小包装（上）
- 可用于硬开关和软开关拓扑的更多位置
应用
- 服务器
- 电信
- PC电源
- 太阳的
- 工业的
- USB-PD公司
