AOD442/AOI442采用了先进的沟槽技术，提供了出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这些器件适合用作负载开关或PWM应用。
产品概要
VDS 60伏
ID（VGS=10V时）37A
RDS（开启）（VGS=10V时）<20mΩ
RDS（开启）（VGS=4.5V时）<25mΩ
100%UIS测试
100%Rg测试
AOD442
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 37A (Tc) 最大功耗: 2.1W（Ta）、60W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.79432 | 5.79432 |
| 10+ | 5.09900 | 50.99002 |
| 100+ | 3.91044 | 391.04420 |
| 500+ | 3.09127 | 1545.63500 |
| 1000+ | 2.47301 | 2473.01600 |
| 2500+ | 2.24117 | 5602.92750 |
| 5000+ | 2.10768 | 10538.42000 |
- 库存: 26180
- 单价: ¥5.79432
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.79
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 部件状态 不适用于新设计
- 制造厂商 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.7V@250A.
- 供应商设备包装 TO-252（DPak）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 68 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Ta), 37A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 20安、10伏时20欧姆
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2300 pF@30 V
- 最大功耗 2.1W（Ta）、60W（Tc）
AOD442 产品详情
AOD442 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | AOD609G | 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) | 场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 供应商设备包装: TO-252-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.31533 |
 | AOD607 | 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) | 场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 供应商设备包装: TO-252-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.94014 |
 | AOD609 | 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) | 场效应管类型: N和P通道，公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A 供应商设备包装: TO-252-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.31533 |
 | AOD604 | 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: TO-252-5 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.00873 |
 | AOD403-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.2mΩ@10V,20A | ¥1.93174 |
| AOD4185(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.62718 |
 | AOD4184L | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,20A | ¥1.25041 | |
 | AOD4185-VB | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,50A | ¥4.27735 | |
| AOD4189(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥2.16285 |
| AOD4132-MS | 美森科 (MSKSEMI) | -- | ¥1.27821 |
AOD442所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AOD442 由 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AOD442价格参考￥5.794320，你可以下载 AOD442中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AOD442规格参数、现货库存、封装信息等信息！
阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
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