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NTNS3193NZT5G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 224毫安(Ta) 最大功耗: 120mW(Ta) 供应商设备包装: 3-XLLGA(0.62-0.62) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.28731 5.28731
10+ 4.67891 46.78913
100+ 3.58813 358.81330
500+ 2.83632 1418.16000
1000+ 2.26905 2269.05600
2000+ 2.25616 4512.32600
8000+ 2.25616 18049.30400
  • 库存: 7731
  • 单价: ¥5.28732
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.29
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 224毫安(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.4欧姆@100毫安,4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15.8 pF @ 15 V
  • 最大功耗 120mW(Ta)
  • 供应商设备包装 3-XLLGA(0.62-0.62)
  • 包装/外壳 3-XFLGA
  • 色彩/颜色 灰色

NTNS3193NZT5G 产品详情

小信号MOSFET20 V,224 mA,单N−通道,0.62 x 0.62 x 0.4 mm XLLGA3封装

特色

  • 超薄封装(0.62 x 0.62 x 0.4 mm)
  • 节省板空间的理想选择
  • 0.62 x 0.62 mm封装中的低RDS(开启)解决方案
  • 最小化传导损耗并提高效率
  • 1.5 V栅极电压额定值
  • 可在低逻辑电平电压下驱动
  • 符合RoHS

应用

  • 小信号负载开关
  • 高速接口
  • 模拟开关
  • 针对超便携产品的电源管理进行了优化
  • 智能手机、媒体平板电脑和其他便携式设备


(图片:引出线)

NTNS3193NZT5G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTNS3193NZT5G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTNS3193NZT5G价格参考¥5.287317,你可以下载 NTNS3193NZT5G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTNS3193NZT5G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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