英飞凌的光学MOS™2.N-Channel系列在其电压组中提供了业界最低的导通电阻。功率MOSFET系列可用于许多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低压驱动器和服务器电源。这个OptiMOS 2产品系列的电压范围为20V及以上，并提供多种不同的封装类型。
特色
- 增强模式
- 无铅铅镀层；符合RoHS
- 符合AEC Q101要求
应用
- 汽车
- 消费者
- 直流-直流
- 电子移动性
- 电机控制
- 车载充电器
- 电信
BSR202NL6327HTSA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SC59-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.28199 | 1.28199 |
- 库存: 4
- 单价: ¥1.28199
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.28
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 最大功耗 500mW (Ta)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.8A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 21毫欧姆@3.8A，4.5V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@30A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1147 pF@10 V
- 供应商设备包装 PG-SC59-3
BSR202NL6327HTSA1 产品详情
英飞凌OptiMOS™2功率MOSFET系列
BSR202NL6327HTSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSR | 内存保护设备公司 (MPD) | 配套使用/相关货物: 9V电池卡扣 附件种类: 铆钉 包装: 散装 | ¥2.31773 |
 | BSR31,135 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 60V 1A SOT89 | ¥1.37615 |
| BSR41,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN 80V 1000MA SOT89 | ¥1.44858 |
| BSR14,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANSISTOR NPN SWITCHING SOT23 | ¥0.43457 |
| BSR16,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 60V 0.6A SOT23 | ¥0.43457 |
| BSR-44-BT | STACKRACK ASSEMBLY KIT (19" X12U | ¥0.00 | |
 | BSR92P H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：250V 连续漏极电流(Id)：140mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11Ω@10V,140mA | ¥2.57482 |
 | BSRV10TQ103J | 电阻类型：金属膜电阻 阻值：10kΩ 精度：±5% | ¥41.14449 | |
| BSR33 SOT-89-3L | 江苏长电/长晶 (CJ) | ¥0.3339 | |
| BSR43 SOT-89-3L | 江苏长电/长晶 (CJ) | ¥0.32014 |
BSR202NL6327HTSA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSR202NL6327HTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSR202NL6327HTSA1价格参考￥1.281993，你可以下载 BSR202NL6327HTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSR202NL6327HTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
