EPC2035
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: EPC公司 (EPC)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 7.02561 | 7.02561 |
10+ | 6.17819 | 61.78194 |
100+ | 4.73685 | 473.68570 |
500+ | 3.74457 | 1872.28950 |
1000+ | 2.99566 | 2995.66300 |
2500+ | 2.71478 | 6786.96000 |
5000+ | 2.55312 | 12765.61000 |
- 库存: 7609
- 单价: ¥7.02561
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.03
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.7A(Ta)
- 技术 氮化镓
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 最大功耗 -
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V
- 制造厂商 EPC公司 (EPC)
- 导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 1A, 5V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@800A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.15 nC@5 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) +6伏、-4伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 115 pF@30 V
- 供应商设备包装 Die
- 包装/外壳 死
EPC2035 产品详情
氮化镓生长在硅片上,并利用过去55年开发的基础设施,使用标准CMOS设备进行处理。氮化镓�其极高的电子迁移率和低温系数允许极低的RDS(on),而其横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的QG和零QRR。最终的结果是,该设备能够处理非常高的开关频率和低的接通时间有益的任务,以及那些通态损耗占主导地位的任务。
EPC2035所属分类:分立场效应晶体管 (FET),EPC2035 由 EPC公司 (EPC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。EPC2035价格参考¥7.025613,你可以下载 EPC2035中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询EPC2035规格参数、现货库存、封装信息等信息!
EPC公司 (EPC)
EPC是增强型氮化镓电源管理设备的领导者。EPC是第一个在硅上引入增强模式氮化镓(eGaN®;)在DC-DC转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、遥感技术(LiDAR)和D类音频放...