品牌介绍
EPC是增强型氮化镓电源管理设备的领导者。EPC是第一个在硅上引入增强模式氮化镓（eGaN®；）在DC-DC转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、遥感技术（LiDAR）和D类音频放大器等应用中，FET作为功率MOSFET的替代品，其设备性能是最佳硅功率MOSFET的数倍。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 采用的IC/零件: dsPIC33CK32MP102、EPC2053 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1，非隔离 输入电压: 18V～60V 输出电压: 12伏 开关频率: 500千赫兹 | ¥2,737.81620 | 24 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,737.81620 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 采用的IC/零件: dsPIC33CK32MP102、EPC2218、EPC2214、ECP9533 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1，非隔离 输入电压: 36V～60V 输出电压: 9V～15V 开关频率: 1MHz | ¥2,763.89064 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,763.89064 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 采用的IC/零件: EPC2001C，EPC2021 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1，非隔离 输入电压: 30V～60V 输出电压: 5V 开关频率: 400千赫兹 | ¥1,561.71410 | 21 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,561.71410 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 采用的IC/零件: EPC2218 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1，非隔离 输入电压: 18V～60V 输出电压: 12伏 开关频率: 500千赫兹 | ¥2,737.81620 | 7 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,737.81620 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 采用的IC/零件: EPC2206 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1，非隔离 输入电压: 20伏~60伏 输出电压: 12伏 开关频率: 250千赫兹 | ¥3,699.09389 | 15 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,699.09389 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 采用的IC/零件: EPC2218 板卡种类: 完全填充 输出和类别: 1，非隔离 输入电压: 40V～60V 输出电压: 12伏~20伏 | ¥2,245.00928 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,245.00928 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 采用的IC/零件: EPC2212 种类: 电源管理 嵌入: 无 功能: 激光驱动器 | ¥1,312.77563 | 25 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,312.77563 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 采用的IC/零件: EPC21603 种类: 电源管理 功能: 激光二极管驱动器 | ¥3,585.23550 | 13 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,585.23550 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 采用的IC/零件: EPC2012C 种类: 电源管理 嵌入: 无 功能: 半H桥驱动器（外部FET） | ¥651.86100 | 16 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥651.86100 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 采用的IC/零件: EPC2021 种类: 电源管理 功能: * | ¥651.86100 | 19 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥651.86100 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 采用的IC/零件: EPC2015 主要特性: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability 种类: 电源管理 嵌入: 无 功能: 半H桥驱动器（外部FET） | ¥651.86100 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26,074.44000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.18208 | 35406 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.18208 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）公共源 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.16567 | 18135 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.16567 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥51.93159 | 808 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.93159 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥58.01563 | 1778 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.01563 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、40A（Ta） 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥50.26573 | 415 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.26573 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A, 38A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥50.91759 | 419 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.91759 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥51.27973 | 3906 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.27973 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A, 38A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥51.71431 | 2570 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.71431 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 3 N通道（半桥+同步引导） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A、500毫安 供应商设备包装: 9-BGA (1.35x1.35) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.55823 | 6185 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.55823 | 添加到BOM 立即询价 |