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EPC2107

  • 描述:场效应管类型: 3 N通道(半桥+同步引导) 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A、500毫安 供应商设备包装: 9-BGA (1.35x1.35) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: EPC公司 (EPC)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 14.55822 14.55822
10+ 13.08792 130.87920
100+ 10.52176 1052.17610
500+ 8.64440 4322.20050
1000+ 7.16250 7162.50400
2500+ 6.73589 16839.74250
  • 库存: 6185
  • 单价: ¥14.55823
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14.56
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 最大功率 -
  • 制造厂商 EPC公司 (EPC)
  • 场效应管特性 氮化镓
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 3 N通道(半桥+同步引导)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.7A、500毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 320毫欧姆 @ 2A, 5V, 3.3欧姆 @ 2A, 5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@100A、 2.5V@20A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50V时16皮法,50V时7皮法
  • 包装/外壳 9-VFBGA
  • 供应商设备包装 9-BGA (1.35x1.35)

EPC2107 产品详情

EPC2106是一种增强型单片GaN晶体管半桥,它将两个eGaN功率FET集成到单个器件中,从而消除了PCB上所需的互连电感和间隙空间。这提高了效率(尤其是在较高频率下)和功率密度,同时降低了最终用户的组装成本�s电源转换系统。更高的开关频率� 更低的开关损耗、更低的寄生电感和更低的驱动功率更高的效率� 更低的传导和开关损耗,零反向恢复损耗更小的占地面积-更高的功率密度,低电感封装
EPC2107所属分类:场效应晶体管阵列,EPC2107 由 EPC公司 (EPC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。EPC2107价格参考¥14.558229,你可以下载 EPC2107中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询EPC2107规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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