品牌介绍
EPC是增强型氮化镓电源管理设备的领导者。EPC是第一个在硅上引入增强模式氮化镓（eGaN®；）在DC-DC转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、遥感技术（LiDAR）和D类音频放大器等应用中，FET作为功率MOSFET的替代品，其设备性能是最佳硅功率MOSFET的数倍。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.18208 | 35406 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.18208 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）公共源 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.16567 | 18135 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.16567 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥51.93159 | 808 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.93159 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥58.01563 | 1778 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.01563 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、40A（Ta） 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥50.26573 | 415 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.26573 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A, 38A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥50.91759 | 419 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.91759 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥51.27973 | 3906 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.27973 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A, 38A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥51.71431 | 2570 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.71431 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 3 N通道（半桥+同步引导） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A、500毫安 供应商设备包装: 9-BGA (1.35x1.35) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.55823 | 6185 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.55823 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.24971 | 22244 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.24971 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.67987 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.67987 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A 供应商设备包装: Die | ¥7.48916 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.48916 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,225.61457 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,225.61457 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.72093 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.72093 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A, 38A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.98120 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.98120 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A（Tj） 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥204.59744 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥204.59744 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双）公共源 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.16567 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.16567 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、40A（Ta） 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥37.54140 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18,770.69950 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 3 N通道（半桥+同步引导） 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 60V, 100V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A、500毫安 供应商设备包装: 9-BGA (1.35x1.35) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.83394 | 1747 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.83394 | 添加到BOM 立即询价 |