EPC2100ENGRT

来自高效功率转换（EPC）的EPC2100增强型氮化镓（eGaN）半桥晶体管是下一步，也是第一个实现比硅技术更快、更高效设计的功率器件。这是第一个基于EPC的集成电路�s eGaN工艺。该工艺设计用于在硅功率器件上制备分立增强型氮化镓。因此，EPC�由联合创始人乔·曹（Joe Cao）领导的设计团队需要开发额外的工艺，以隔离单个芯片上的各种高压设备。目标是制造一种能够阻挡高压并适应未来许多组件集成的工艺（EPC计划在未来几年推出一系列使用这种新工艺的IC产品）。然而，流程开发只是推出像整体式半桥那样先进的产品所需努力的一小部分。工程总承包�在Alana Nakata的领导下，我们的产品工程团队需要开发完全不同的芯片级封装和生产测试技术，以确保他们能够交付具有完美质量的芯片级IC。包括Johan Strydom和David Reusch在内的应用工程团队并行工作，以确保模具布局能够以最低的成本为客户提供最大的性能效益。然后，他们必须构建样本电路并对其进行测试，以确保他们能够兑现最先进的电源开关IC的承诺。单独来看，这些挑战中的每一个似乎都很简单，但它们都需要以非常协调的方式并行应对。