EPC2106ENGRT
- 描述:场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 氮化镓 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A 供应商设备包装: Die 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: EPC公司 (EPC)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥2.67987
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.68
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 最大功率 -
- 制造厂商 EPC公司 (EPC)
- 场效应管类型 2 N通道(半桥)
- 场效应管特性 氮化镓
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.7A
- 导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 2A, 5V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@600A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.73nC@5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 75皮法 @ 50V
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 死
- 供应商设备包装 Die
- 部件状态 Digi-Key停产
EPC2106ENGRT 产品详情
EPC2106是一种增强型单片GaN晶体管半桥,它将两个eGaN功率FET集成到单个器件中,从而消除了PCB上所需的互连电感和间隙空间。这提高了效率(尤其是在较高频率下)和功率密度,同时降低了最终用户的组装成本�s电源转换系统。更高的开关频率� 更低的开关损耗、更低的寄生电感和更低的驱动功率更高的效率� 更低的传导和开关损耗,零反向恢复损耗更小的占地面积-更高的功率密度,低电感封装
EPC2106ENGRT所属分类:场效应晶体管阵列,EPC2106ENGRT 由 EPC公司 (EPC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。EPC2106ENGRT价格参考¥2.679873,你可以下载 EPC2106ENGRT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询EPC2106ENGRT规格参数、现货库存、封装信息等信息!
EPC公司 (EPC)
EPC是增强型氮化镓电源管理设备的领导者。EPC是第一个在硅上引入增强模式氮化镓(eGaN®;)在DC-DC转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、遥感技术(LiDAR)和D类音频放...