Fairchild Semiconductor的新型QFET®平面MOSFET采用先进的专有技术,为广泛的应用提供一流的运行性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、DC-DC转换器、等离子显示面板(PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻(RDS(on))降低导通状态损耗,通过降低栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss)降低开关损耗。通过使用先进的QFET®工艺技术,Fairchild可以提供优于竞争对手的平面MOSFET器件的改进的品质因数(FOM)。
特色
- 10A,100V,RDS(开启)=180mΩ(最大值)@VGS=10 V,ID=5A
- 低栅极电荷(典型值12nC)
- 低铬(典型值20pF)
- 100%雪崩测试
应用
- 液晶电视
- LED电视
- 照明
- 其他工业