DMN67D8LW-13

Name: DMN67D8LW-13
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7126402-DMN67D8LW-13
Price: 0.225254 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 240毫安（Ta）最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
供应商设备包装 SOT-323
包装/外壳 SC-70，SOT-323
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
最大功耗 320mW (Ta)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 22 pF@25 V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
漏源电流 (Id) @ 温度 240毫安（Ta）
导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 500毫安, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.82 nC@10 V

DMN67D8LW-13 产品详情

N沟道MOSFET，40V至90V，二极管公司

DMN67D8LW-13 相关器件

型号	制造商	描述	价格
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DMNF1-488FIB-M	泛达 (Panduit)	端子类别: 标准连接头材料: 电解铜公母: 母接头线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米）端接: 压接	¥3.47659
DMNF6-63M-L	泛达 (Panduit)	端子类别: 标准连接头材料: 电解铜公母: 公接头线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米）端接: 压接	¥2.79576
DMN62D0LFB-7B	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta）供应商设备包装: X1-DFN1006-3	¥0.64831
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DMN3029LFG-7	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta）供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥1.20652
DMN6140L	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.7471
DMN2041L	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.50199
DMN6068SE-13-VB		类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A	¥3.32099
DMN2004WK	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.29688

DMN67D8LW-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMN67D8LW-13 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN67D8LW-13价格参考￥0.225254，你可以下载 DMN67D8LW-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN67D8LW-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！