特色
- -2.5A，-12V RDS（ON）=90mΩ@VGS=-4.5V RDS（ON）=125mΩ@VGS=-2.5V RDS（ON）=200mΩ@VGS=-1.8V
- 用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
- 超级SOT™-6封装：占地面积小（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDC6318P
- 描述:场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.66346 | 6.66346 |
| 10+ | 5.86674 | 58.66749 |
| 100+ | 4.49928 | 449.92890 |
| 500+ | 3.55655 | 1778.27700 |
| 1000+ | 2.84522 | 2845.22800 |
| 3000+ | 2.82907 | 8487.23100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.59104
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.66
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 2个P通道（双通道）
- 漏源电压标 (Vdss) 12伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 最大功率 700mW
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 供应商设备包装 SuperSOT-6.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8nC @ 4.5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 455皮法 @ 6V
- 导通电阻 Rds(ON) 90毫欧姆 @ 2.5A, 4.5V
FDC6318P 产品详情
这些P沟道1.8V特定MOSFET是使用先进的PowerTrench®工艺生产的，该工艺经过特别定制，以最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷，从而获得优异的开关性能。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | FDC021N30 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
| FDC37C653QFP | FLOPPY DISK CONTROLLER | ¥38.31494 | |
| FDC37M813QFP | PC98/99 COMPLIANT ENHANCED SUPER | ¥16.87596 | |
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| FDC37B777QFP | ENHANCED SUPER I/O CONTROLLER | ¥35.99721 | |
 | FDC92C39BTP | ENHANCED FLOPPY DISK INTERFACE | ¥84.81436 | |
 | FDC37C669FRQFP | SUPER I/O WITH LPC INTERFACE | ¥35.99721 | |
 | FDC6332L | 安盛美 (onsemi) | 开关种类: 一般用途 输出类别: P-通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端 负载电压: 1.8伏~8伏 供应商设备包装: SuperSOT-6. | ¥21.00441 |
FDC6318P所属分类：场效应晶体管阵列，FDC6318P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDC6318P价格参考￥6.591039，你可以下载 FDC6318P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDC6318P规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
