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FDS8958A

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A, 5A 供应商设备包装: 8-SOIC
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.66346 6.66346
10+ 5.83777 58.37777
100+ 4.47683 447.68360
500+ 3.53902 1769.51300
1000+ 2.83125 2831.25000
2500+ 2.81517 7037.92500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥6.66347
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.66
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 工作温度 -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 最大功率 900mW
  • 导通电阻 Rds(ON) 28毫欧姆@7A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 575皮法 @ 15V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A, 5A

FDS8958A 产品详情

这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管是使用先进的PowerTrench工艺生产的,该工艺经过特别定制,以最小化导通状态压力,同时保持优异的开关性能。这些设备非常适合低电压和电池供电的应用,其中需要低在线功率损耗和快速切换。

特色

  • Q1:N信道7.0 A,30 VRDS(ON)=28 mΩ@VGS=10 V RDS(ON)=40 mΩ@VGA=4.5 V
  • Q2:P通道-5 A,-30 VRDS(ON)=52 mΩ@VGS=-10 VRDS(开启)=80 mΩ@VGA=-4.5 V
  • 快速切换速度
  • 广泛使用的表面安装封装具有高功率和处理能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDS8958A所属分类:场效应晶体管阵列,FDS8958A 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS8958A价格参考¥6.663468,你可以下载 FDS8958A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS8958A规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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