起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.56737 | 4.56737 |
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
NTJD1155L是双沟道MOSFET。该MOSFET具有P沟道和N沟道的特点，可用于低控制信号、低电池电压和高负载电流。N沟道具有内部ESD保护，可由低至1.5V的逻辑信号驱动，而P沟道设计用于负载切换应用。P沟道也采用ON半导体的沟槽技术设计。
（图片：引出线）
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTH557AJNLT | 普思电子 (Pulse) | TRANSFORMER | ¥49.30572 |
| NTH402AUNL | 普思电子 (Pulse) | TRANSFORMER | ¥43.94383 |
| NTH557AKNLT | 普思电子 (Pulse) | TRANSFORMER | ¥85.97902 |
 | NTHS5404T1 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET | ¥1.01401 |
 | NTHD4P02FT1 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET/SCHOTTKY P-CH 20V CHIPFET | ¥0.72429 |
 | NTHD5903T1 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET | ¥1.01401 |
 | NTHS0805N03N1001JR | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 1K 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥14.42786 |
 | NTHS0805N03N3300KE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 330 阻值公差: ±10% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥43.5588 |
 | NTHS0805N04N3303JU | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 330k 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥6.78687 |
 | NTHS0805N06N2001JE | 威世达勒 (Vishay Dale) | 25°C 电阻 (欧姆): 2K 阻值公差: ±5% B值公差: ±3% 安装类别: 表面安装 | ¥5.50891 |
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
