Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

IRL6372TRPBF
- 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.1A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 7.74990 | 7.74990 |
10+ | 6.93869 | 69.38698 |
100+ | 5.40754 | 540.75490 |
500+ | 4.46698 | 2233.49300 |
1000+ | 3.91840 | 3918.40900 |
4000+ | 3.91840 | 15673.63600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.67747
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.75
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SO
- 场效应管类型 2个N通道(双通道)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@10A.
- 最大功率 2W
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11nC @ 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1020皮法@25V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8.1A
- 导通电阻 Rds(ON) 17.9毫欧姆@8.1A,4.5V
IRL6372TRPBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 30V,英飞凌
IRL6372TRPBF所属分类:场效应晶体管阵列,IRL6372TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRL6372TRPBF价格参考¥7.677474,你可以下载 IRL6372TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRL6372TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。