9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF9395MTR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF9395MTR1PBF价格参考1.692美元。Infineon Technologies IRF9395MTR1PBF封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET。您可以下载IRF9395MTR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF9393TRPBF是MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计为以0.017870盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SO-8等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为49 ns，上升时间为44 ns，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏电流为-9.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.8 V，Rds导通漏极-漏极电阻为25.6 mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为55 ns，典型接通延迟时间为16 ns，Qg栅极电荷为14 nC，正向跨导最小值为13 S，沟道模式为增强。
IRF9392TRPBF是MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为73 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为47ns，器件的漏极-源极电阻为17.5mOhm，Qg栅极电荷为14nC，Pd功耗为2.5W，封装为卷轴，封装外壳为SOIC-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-9.8 A，正向跨导最小值为36 S，下降时间为58 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF9393PBF是MOSFET 1 P-CH-30V HEXFET 19.4mOhms 14nC，包括-9.2 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供SOIC-8等封装外壳功能，封装设计用于管内，以及2.5 W Pd功耗，该器件也可以用作14nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为19.4 mOhms，该器件采用Si技术，该器件具有晶体管极性的P沟道，晶体管类型为1 P沟道、单位重量为0.019048 oz，Vds漏极源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极电压为25 V。
