9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ9945BEY-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ9945BEY-T1_GE3参考价格为1.16000美元。Vishay Siliconix SQ9945BEY-T1_GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 5.4A。您可以下载SQ9945EY-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SQ9945BEY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 60V 5.4A，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双，FET类型为2 N沟道（双），功率最大值为4W，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为470pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.4A，最大Id Vgs上的Rds为64mOhm@3.4A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V，Pd功耗为4W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为1.7 ns，上升时间为2.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为64 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17nS，Qg栅极电荷为8nC。
SQ9945AEY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如80 mOhm@3.7A，10V，功率最大设计为2.4W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有20nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为3.7A。
SQ9945AEY是由VISHAY制造的MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC。SQ9945AEY采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC。
