9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPG16N10S461ATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPG16N10S461ATMA1参考价格为1.19000美元。Infineon Technologies IPG16N10S461ATMA1封装/规格：MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON。您可以下载IPG16N10S461ATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPG16N10S4-61是MOSFET MOSFET，包括XPG16N10系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于IPG16N1 0S461ATMA1 IPG16N 0S461XT SP000892972的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于PG-TDSON-8，以及Si技术，该设备也可以用作2信道数信道。此外，该配置为2 N沟道，该器件为2 N型沟道晶体管，该器件具有29 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为1 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为13 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为61mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为5ns，典型接通延迟时间为3ns，Qg栅极电荷为5.4nC，沟道模式为增强。
IPG16N10S461AATMA1带有用户指南，包括3.5V@9μA Vgs th Max Id，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于PG-TDSON-8-10，以及汽车、AEC-Q101、OptiMOS？系列，该设备也可以用作61 mOhm@16A，10V Rds On Max Id Vgs。此外，最大功率为29W，该设备采用IPG16N10S4-61A SP001091952零件别名，该设备具有包装带和卷轴（TR），包装箱为8-PowerVDFN，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为490pF@25V，栅极电荷Qg Vgs为7nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为16A。
IPG15N06S3L-45是MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8，包括15A电流连续漏极Id 25°C，设计用于55V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于20nC@10V，除了1420pF@25V输入电容Ciss Vds外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件采用8 PowerVDFN封装盒，该器件具有封装的磁带和卷轴（TR），最大功率为21W，最大Id Vgs上的Rds为45 mOhm@10A，10V，系列为OptiMOS？，供应商设备包为PG-TDSON-8-4（5.15x6.15），Vgs th最大Id为2.2V@10μA。
