9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDS4559-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDS4559-F085参考价格为35.392美元。onsemi FDS4559-F085封装/规格：MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO。您可以下载FDS4559-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDS4559是MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表中显示了用于FDS4559_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为8-SOIC，配置为N通道P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为1W，晶体管类型为1个N通道1个P通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为650pF@25V，FET特性为逻辑电平门，25°C时电流连续漏极Id为4.5A、3.5A，最大Id Vgs的Rds为55mOhm@4.5A、10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6ns 12ns，上升时间为8ns 10ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.5A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为55mOhm，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为19ns 19ns，典型导通延迟时间为11ns 7ns，前向跨导Min为14S 9S，信道模式为增强。
FDS4542-NL，带有FAI制造的用户指南。FDS4542-NL在SOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。
FDS4558_NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDS4558_NL在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
