特色
- -6 A，-20 VRDS（开启）=0.030Ω@VGS=-4.5 VRDS（打开）=0.040Ω@VGS=-2.5 V。
- 低栅极电荷（典型值为23nC）。
- 用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术。
- 高功率和电流处理能力。
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDS6875
- 描述:场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 9.77791 | 9.77791 |
| 10+ | 8.74218 | 87.42180 |
| 100+ | 6.81846 | 681.84660 |
| 500+ | 5.63265 | 2816.32900 |
| 1000+ | 4.71643 | 4716.43200 |
| 2500+ | 4.71643 | 11791.08000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥10.21249
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.78
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 2个P通道（双通道）
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6A
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 最大功率 900mW
- 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 6A, 4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 31nC @ 5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2250皮法@10V
FDS6875 产品详情
这些P沟道2.5V特定MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺经过特别定制，以最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷，从而获得优异的开关性能。这些设备非常适合便携式电子应用：负载切换和电源管理、电池充电和保护电路。
FDS6875 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDS-312 | 乔纳德 (Jonard Tools) | FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM | ¥202.43906 |
 | FDSM012P2 | 百通 (Belden) | FD M_D OS2 12F OFNP SU_3. | ¥4.92517 |
| FDSY006RF | 百通 (Belden) | FD TO_CPE OS2 6F OFNR | ¥22.09085 |
| FDST012RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 12F OFNR | ¥23.39457 |
| FDSY008RF | 百通 (Belden) | FD OS2 TO_CPE 8F OFNR | ¥24.481 |
| FDST036RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 36F OFNR | ¥39.03923 |
| FDSM006P2 | 百通 (Belden) | FD MD_LT OS2 6F OFNP NON_UNI | ¥2.35438 |
| FDSB006LB | 百通 (Belden) | FD BO OS2 6F LSZH SU_2.0 | ¥17.02082 |
| FDST004RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 4F OFNR | ¥17.2381 |
| FDST024RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 24F OFNR | ¥31.14447 |
FDS6875所属分类：场效应晶体管阵列，FDS6875 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDS6875价格参考￥10.212489，你可以下载 FDS6875中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDS6875规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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