9icnet为您提供由onsemi设计和生产的ECH8601M-C-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ECH8601M-C-TL-H参考价格为0.576美元。onsemi ECH8601M-C-TL-H封装/规格：MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8。您可以下载ECH8601M-C-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ECH8502-TL-H是TRANS NPN/PNP 100V/50V 5A 8ECH，包括ECH8502系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线、安装类型设计用于表面安装，以及8-ECH供应商设备封装，该器件还可以用作1.6W最大功率。此外，晶体管类型为NPN、PNP，该器件提供5A集流器Ic Max，该器件具有100V、50V的集流器发射极击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@500mA、2V，Vce饱和最大Ib Ic为120mV@125mA、2.5A，集流器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为290MHz，Pd功耗为1.3W，集电极-发射极电压VCEO Max为50V，晶体管极性为NPN PNP，发射极基极电压VEBO为6V，连续集电极电流为5A，DC集电极基极增益hfe Min为200。
ECH8503-TL-H是TRANS 2PNP 50V 5A 8ECH，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在190mV@125mA、2.5A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，数据表注释中显示了用于2 PNP（双）的晶体管类型，提供晶体管极性功能，如PNP，供应商设备包设计为在8-ECH以及ECH8503系列中工作，该器件也可以用作1.6W最大功率。此外，Pd功耗为1.3W，该器件采用磁带和卷轴（TR）封装，该器件具有8-SMD，扁平引线封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，频率转换为280MHz，发射极基极电压VEBO为-6V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为200@500mA，2V，直流集电极基极增益hFE Min为200，集电极Ic Max为5A，集电极截止电流最大值为100nA（ICBO），连续集电极电流为-5A，集电极-发射极电压VCEO Max为-50V。
ECH8601，带有SANYO制造的电路图。ECH8601采用TSSP-8封装，是IC芯片的一部分。
