9icnet为您提供由onsemi设计和生产的ECH8563-S-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ECH8653-S-TL-H参考价格为0.34000美元。onsemi ECH8653-S-TL-H封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8。您可以下载ECH8653-S-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ECH8652-TL-H是MOSFET 2P-CH 12V 6A ECH8，包括ECH8652系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计用于Si，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在8-ECH供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 P信道（双重），最大功率为1.5W，晶体管类型为2 P-信道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为1000pF@6V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs的Rds为28mOhm@3A，4.5V，栅极电荷Qg Vgs为11nC@4.5V，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为87 ns，上升时间为72 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为-6A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds导通漏极-漏极电阻为49mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为105ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为11nC。
ECH8652-S-TL-H，带有SANYO制造的用户指南。ECH8652-S-TL-H采用ECH8封装，是IC芯片的一部分。
ECH8653，带有SANYO制造的电路图。ECH8653采用SOT-23-8封装，是FET阵列的一部分。
