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ECH8659-M-TL-H

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 库存: 9000
  • 单价: ¥1,547.60493
  • 数量:
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  • 总计: ¥1,547.60
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 部件状态 过时的
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
  • 最大功率 1.5瓦
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A
  • 场效应管特性 逻辑电平门,4V驱动
  • 供应商设备包装 8-ECH
  • 导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@3.5A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.8nC@10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 710皮法 @ 10V

ECH8659-M-TL-H 产品详情

该功率MOSFET采用ON Semiconductor的沟槽技术生产,专门设计用于最小化栅极电荷和低导通电阻。该器件适用于具有低栅极电荷驱动或低导通电阻要求的应用。

特色

  • RoHS合规性
  • 环境考虑因素
  • 低导通电阻
  • 通过减少传导损耗提高效率,减少散热
  • ESD二极管保护门
  • ESD电阻
  • 4.0V驱动器
  • 复合型,便于高密度安装

应用

  • LiB保护开关
  • 电机驱动装置
  • DSC,风扇电机
ECH8659-M-TL-H所属分类:场效应晶体管阵列,ECH8659-M-TL-H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ECH8659-M-TL-H价格参考¥1547.604929,你可以下载 ECH8659-M-TL-H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ECH8659-M-TL-H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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