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NTJD1155L是双沟道MOSFET。该MOSFET具有P沟道和N沟道的特点，可用于低控制信号、低电池电压和高负载电流。N沟道具有内部ESD保护，可由低至1.5V的逻辑信号驱动，而P沟道设计用于负载切换应用。P沟道也采用ON半导体的沟槽技术设计。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MCH60-014 | 英国城市技术 (City) | TRANDUCER H2S 3MH 1MV/PPM O/P | ¥558.6724 |
| MCH60-024 | 英国城市技术 (City) | TRANDUCER H2S 3MH 10MV/PPM O/P | ¥992.31701 |
| MCHP1/81001R00F412 | TT电子 (TT) | MCHP-1/8-100-1R00-F-412C | ¥15.71709 |
 | MCH185CN681KK | 罗姆 (Rohm) | 电容: 680 pF 公差: ±10% 额定电压: 50V 温度系数: X7R 包装/外壳: 0603（1608公制） 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥4.93966 |
 | MCH185CN102KK | 罗姆 (Rohm) | 电容: 1000 pF 公差: ±10% 额定电压: 50V 温度系数: X7R 包装/外壳: 0603（1608公制） 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥2.21633 |
 | MCH182FN104ZK | 罗姆 (Rohm) | 电容: 0.1F 公差: -20%，+80% 额定电压: 25伏 温度系数: Y5V (F) 包装/外壳: 0603（1608公制） 工作温度: -30摄氏度~85摄氏度 | ¥0.76775 |
 | MCH183FN224ZK | 罗姆 (Rohm) | 电容: 0.22F 公差: -20%，+80% 额定电压: 16伏 温度系数: Y5V (F) 包装/外壳: 0603（1608公制） 工作温度: -30摄氏度~85摄氏度 | ¥1.11541 |
 | MCH032ANR75CK | 罗姆 (Rohm) | 电容: 0.75 pF 公差: ±0.25皮法 额定电压: 25伏 温度系数: C0G，NP0 包装/外壳: 0201（0603公制） 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥7.63402 |
| MCH155A121JK | 罗姆 (Rohm) | 电容: 120 pF 公差: ±5% 额定电压: 50V 温度系数: C0G，NP0 包装/外壳: 0402（1005公制） 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥1.69484 |
 | MCH185A050CK | 罗姆 (Rohm) | 电容: 5 pF 公差: ±0.25皮法 额定电压: 50V 温度系数: C0G，NP0 包装/外壳: 0603（1608公制） 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度 | ¥3.72285 |
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