9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH4257DTRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH4257DTRPBF参考价格为0.504美元。Infineon Technologies IRFH4257DTRPBF封装/规格：MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN。您可以下载IRFH4257DTRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFH4255DTRPBF是MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN，包括HEXFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供FastIRFet等商标功能，封装盒设计为在8-PowerVDFN中工作，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PQFN（5x6），配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为31W、38W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为1314pF@13V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为64A、105A，最大Id Vgs为3.2mOhm@30A、10V，Vgs最大Id为2.1V@35μA，栅极电荷Qg Vgs为15nC@4.5V，Pd功耗为31W 38 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15ns 26ns，上升时间为61ns 43ns，Vgs栅极-源极电压为20V 20V，Id连续漏极电流为30A 30A，Vds漏极-源极击穿电压为25V 25V，Vgs第h栅极-源极端电压为1.1V 1.1V，Rds漏极源极电阻为4.6mOhms 2.1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns 27ns，典型接通延迟时间为10ns 10ns，Qg栅极电荷为10nC 23nC，正向跨导最小值为131S 182S，信道模式为增强。
IRFH4253DTRPBF是MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN，包括2.1V@35μA Vgs th Max Id，它们设计用于1.6 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如25 V，典型开启延迟时间设计为10 ns 16 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件以FastIRFet商品名提供，器件具有技术Si，供应商器件封装为PQFN（5x6），系列为HEXFET，上升时间为61 ns 98 ns，Rds On Max Id Vgs为3.2 mOhm@30A，10V，Rds On Drain Source Resistance为3.2 m欧姆，Qg栅极电荷为15 nC 47 nC，功率最大为31W，50W，Pd功耗为31 W 50 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerVDFN，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围是-55°C，它的最大工作温度范围为+150 C，输入电容Cis-Vds为1314pF@13V，Id连续漏极电流为64A，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@4.5V，正向跨导最小值为131 S 164 S，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为15 ns 65 ns，漏极到源极电压Vdss为25V，25°C的电流连续漏极Id为64A、145A，配置为双通道，通道模式为增强型。
IRFH4253DPBF带有由IR制造的电路图。IRFH4253D PBF采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
