9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的TT8K1TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TT8K1TR参考价格为0.838美元。Rohm Semiconductor TT8K1TR封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8。您可以下载TT8K1TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TT8J2TR是MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8，包括TT8J2系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在8-TSST供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 P信道（双重），最大功率为1.25W，晶体管类型为2 P-信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为460pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.5A，最大Id Vgs的Rds为84 mOhm@2.5A，10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为4.8nC@5V，Pd功耗为1.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Vgs第th栅极-源阈值电压为-1V，Rds导通漏极-漏极电阻为60mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为4.8nC，并且前向跨导Min为1.8S，并且信道模式为增强。
TT8J21TR是MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8，包括1V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为在10 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为120 ns，以及2 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用8-TSST供应商器件封装，该器件具有TT8J21系列，上升时间为30 ns，Rds On Max Id Vgs为68 mOhm@2.5A，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为68 m欧姆，功率最大值为650mW，Pd功耗为1.25 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SMD，扁平导线，工作温度范围为150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为1270pF@10V，Id连续漏极电流为2.5 A，栅极电荷Qg Vgs为12nC@4.5V，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为30 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为2.5A，配置为双双漏极，沟道模式为增强型。
带有电路图的TT8K11TCR，包括3A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在30V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，4V驱动，提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在2.5nC@5V下工作，以及140pF@10V输入电容Cis-Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为150°C（TJ），该设备采用8-SMD扁平引线封装盒，该设备具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为1W，最大Id Vgs的Rds为71mOhm@3A，10V，系列为TT8K11，供应商设备封装为8-TSST，技术为Si，Vgs th Max Id为2.5V@1A。
