9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的TT8M3TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TT8M3TR参考价格为0.84美元。Rohm Semiconductor TT8M3TR封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8。您可以下载TT8M3TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TT8M2TR是MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8，包括TT8M2系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计用于Si，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在8-TSST供应商设备包中提供，该设备具有双四漏极配置，FET类型为N和P信道，最大功率为1.25W，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极到源极电压Vdss为30V，20V，输入电容Ciss Vds为180pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.5A，最大Id Vgs上的Rds为90 mOhm@2.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为3.2nC@4.5V，Pd功耗为1.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20ns 85ns，上升时间为30ns 30ns，Vgs栅极-源极电压为12V 10V，Id连续漏极电流为2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V-20V，Vgs栅-源极阈值电压为1.5V-1V，Rds漏极上源极电阻为90m欧姆68m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为20ns 120ns，典型接通延迟时间为7ns 9ns，Qg栅极电荷为3.2nC 12nC。
TT8K2TR是MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8，包括1.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于1.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该设备也可以用作8-TSST供应商设备包。此外，该系列为TT8K2，器件提供90 mOhm@2.5A，4.5V Rds On Max Id Vgs，器件具有90 mOhms Rds On Drain Source电阻，Qg栅极电荷为3.2 nC，最大功率为1.25W，Pd功耗为1.25 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SMD，扁平引线，工作温度范围为150°C（TJ），信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，输入电容Cis-Vds为180pF@10V，Id连续漏极电流为2.5A，栅极电荷Qg-Vgs为3.2nC@4.5V，FET类型为2N信道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏电流Id为2.5A。
TT8M1TR是MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8，包括2.5A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门、1.5V驱动器的FET特性，提供了N和P沟道等FET类型特性，栅极电荷Qg Vgs设计为在3.6nC@4.5V下工作，除了260pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为150°C（TJ），该器件采用8-SMD扁平引线封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，功率最大值为1W，Rds On Max Id Vgs为72mOhm@2.5A，4.5V，系列为TT8M1，供应商设备包为8-TSST，技术为Si，Vgs th Max Id为1V@1mA。
