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VEC2616-TL-H

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A,2.5A 供应商设备包装: SOT-28FL/vc8 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 108

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  • 单价: ¥1.81073
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    - +
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 最大功率 1W
  • 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10nC @ 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.6V@1毫安
  • 部件状态 Digi-Key停产
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A,2.5A
  • 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 1.5A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 505皮法 @ 20V
  • 供应商设备包装 SOT-28FL/vc8

VEC2616-TL-H 产品详情

该功率MOSFET采用ON Semiconductor的沟槽技术生产,专门设计用于最小化栅极电荷和低导通电阻。该器件适用于具有低栅极电荷驱动或低导通电阻要求的应用。

特色

  • 低导通电阻
  • 通过减少传导损耗提高效率,减少散热
  • 薄型包装
  • 节省板空间
  • ESD二极管保护门
  • ESD电阻
  • RoHS合规性
  • 环境考虑因素
  • 互补N沟道和P沟道MOSFET
  • 减少安装面积
  • 4V驱动器

应用

  • 电机驱动器
VEC2616-TL-H所属分类:场效应晶体管阵列,VEC2616-TL-H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。VEC2616-TL-H价格参考¥1.810725,你可以下载 VEC2616-TL-H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询VEC2616-TL-H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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