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IPW60R125C6是MOSFET N-CH 600V 30A TO247，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPW60R125C6FKSA1 IPW60R225C6XK SP000641912的零件别名，该产品提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为219 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为125mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为83ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为96nC，沟道模式为增强型。
IPW60R099P6是MOSFET高功率价格/性能，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以1.340411盎司单位重量运行，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供N沟道等晶体管极性特性，技术设计用于Si，以及XPW60R099系列，该器件也可以用作99欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，零件别名为IPW60R099P6XKSA1 SP001114658，该设备采用管式封装，该设备具有TO-247-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为6 a。
带有电路图的IPW60R099P6XKSA1，包括TO-247-3封装盒，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于提供Si等技术特性的IPW60 R099P6 SP001114658。
