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SIHF12N50C-E3是MOSFET N-CH 500V 12A TO-220,包括E系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.211644盎司,提供安装类型功能,如通孔,包装盒设计用于TO-220-3,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有36 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+125 C,其最小工作温度范围是-55 C,Vgs栅极-源极电压为30 V,Id连续漏极电流为12 a,Vds漏极-源极击穿电压为500 V,漏极-源极电阻Rds为460mOhm,晶体管极性为N沟道,Qg栅极电荷为32nC,正向跨导Min为3S。
SI-HDMI-BRKT-3和IBASE制造的用户指南。是杂项的一部分,并支持SI-304(RoHS)HQ#SC2SI304--0A1100P的模块附件HDMI电缆支架。
SI-HDMI-BRKT-5,电路图由IBASE制造。是杂项的一部分,并支持SI-58(RoHS)HQ#SC2SI58--0A1200P的模块附件HDMI电缆支架。
SI-HDMI-EDID-EM,带有IBASE制造的EDA/CAD模型。是“杂项”的一部分,并支持模块附件HDMI EDID仿真器软件狗-SI(RoHS)Mfg#H8246JT021-001。