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FDZ663P是MOSFET PCh 1.5 V指定功率沟道MOSFET，包括卷轴封装，它们设计为在0.002363盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如WLCSP-4，技术设计为在Si中工作，以及1.3 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，该器件的栅极-源极电压为8 V Vgs，器件的Id连续漏极电流为-2.7 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，漏极-漏极电阻为134 mΩ，晶体管极性为P沟道。
FDZ7064AS是由Fairchild制造的MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA。FDZ7064AS采用30-WFBGA封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA、N沟道30V 13.5B（Ta）2.2W（Ta）表面安装30-BGA（4x3.5）。
FDZ7064N是科信制造的N沟道30V 13.5A（Ta）2.2W（Ta）表面安装30-BGA（4x3.5）。FDZ7064N采用BGA封装，是IC芯片的一部分，支持N沟道30V 13.5A（Ta）2.2W（Ta）表面安装30-BGA（4x3.5）。
FDZ7064S，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FDZ7064S采用BGA封装，是IC芯片的一部分。
