9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHG47N60AEF-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHG47N60AEF-GE3价格参考$9.16000。Vishay Siliconix SIHG47N60AEF-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC。您可以下载SIHG47N60AEF-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SiHG33N65E-GE3带有引脚细节，包括EF系列，它们设计用于卷筒包装，安装样式如数据表注释所示，用于通孔，提供EF系列等商品名功能，包装盒设计用于to-247以及Si技术，该设备也可作为1信道数信道使用。此外，该配置为1个N沟道，该器件为1个N-沟道晶体管类型，该器件具有313 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为67 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为32.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为90m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为103ns，典型接通延迟时间为35ns，Qg栅极电荷为115nC，正向跨导最小值为115S，沟道模式为增强。
SIHG33N60E-GE3是MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC，包括4 V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在4 V Vgs-栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，典型开启延迟时间设计为56纳秒，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以E系列商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为E，上升时间为90 ns，漏极-源极电阻Rds为99 mOhm，Qg栅极电荷为150 nC，Pd功耗为278 W，封装为Tube，封装盒为TO-247-3，沟道数量为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为33 A，正向跨导最小值为11 S，下降时间为80 ns，配置为单一。
SIHG33N65EF-GE3带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为在1N信道配置下工作，数据表注释中显示了71 ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，如11 S，Id连续漏电流设计为在31.6 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-247AC-3封装盒，封装为管，Pd功耗为313 W，Qg栅极电荷为114 nC，Rds漏极源极电阻为109 mOhms，上升时间为56 ns，系列为EF，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为105ns，典型接通延迟时间为32ns，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅源极电压为+/-30V，Vgsth栅源极阈值电压为2V。
SIHG33N65EF，带有Vishay制造的EDA/CAD模型。SIHG33N65EF采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
