英飞凌600 V CoolMOS P7 SJ MOSFET的庞大产品组合现在包括标准TO-247 4引脚封装的改进版本。具有不对称引线的TO-247 4针在关键引线之间的爬电距离增加了0.54 mm,从而实现了更平滑的波峰焊接,并减少了电路板成品率损失。用作栅极驱动电压的参考电势的到源极的附加连接(开尔文连接)消除了源极电感上的电压降的影响,从而实现更快的开关瞬态,这导致显著的效率提高。这允许更高的MOSFET RDS(on)使用和BOM成本节约。CoolMOS P7是英飞凌最佳的平衡技术,具有最佳的易用性和最高的能效平衡<strong>特点:</strong>由CGS放电触发的MOSFET重新导通,效率损失,上述模拟导致Eon损失130µJ,第4引脚保护的干净波形,导通损失减少2倍以上,上述模拟使用TO-247 4引脚将损失减少一半Eon=63µJ,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC),通过PFC和PWM级的低振铃趋势和使用,易于使用和快速设计;由于低开关和传导损耗,简化了热管理;由于>2 kV ESD保护,提高了制造质量;通过使用占地面积较小的产品,提高了功率密度解决方案;适用于各种应用和功率范围,减少了栅极电路上的寄生源电感效应,从而实现了更快的切换和更高的效率。利用开尔文源效率的优势,可以使用更高的MOSFET RDS(开)并降低BOM成本,爬电距离满足5000米的海拔要求,客户更易于设计,不对称引线可以简化波峰焊接并提高电路板成品率损失,卓越的换向耐用性、效率和易用性之间的最佳平衡、开关和传导损耗的显著降低、所有产品的ESD鲁棒性均超过2 kV(HBM)、与低RDS(on)x a(低于1Ωx mm2)所带来的竞争相比,RDS(on(on)/封装产品更好,具有细粒度RDS(on)选择的大型产品组合,适用于各种工业和消费级应用,第四引脚(开尔文源),增加高压引脚之间的爬电距离,栅极信号优化,不对称引线增加临界引脚距离,电信,服务器,太阳能,工业
特色
- 600V P7可实现卓越的FOM R DS(on)xE oss和R DS(on)xQ G
- ESD强度≥2kV(HBM 2级)
- 集成栅极电阻器R G
- 坚固的体二极管
- 广泛的通孔和表面安装组件组合
- 可提供标准级和工业级零件
- 卓越的FOMs R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss可实现更高的效率
- 通过停止发生ESD故障,在制造环境中易于使用
- 集成RG降低MOSFET振荡灵敏度
- MOSFET适用于硬开关和谐振开关拓扑,如PFC和LLC
- LLC拓扑结构中所见的体二极管在硬换向期间具有优异的耐用性
- 适用于各种终端应用和输出功率
- 适用于消费和工业应用的零件
应用