每个集成电路半导体封装两个晶体管。
特色
- 超紧凑型复合双极晶体管
- 用于前置放大器
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
IMZ120R350M1HXKSA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-4-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 41.88931 | 41.88931 |
- 库存: 5
- 单价: ¥41.88931
-
数量:
- +
- 总计: ¥41.89
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 技术 SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
- 最大功耗 60W (Tc)
- 包装/外壳 至247-4
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.7A (Tc)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 15伏、18伏
- 导通电阻 Rds(ON) 350毫欧姆 @ 2A, 18V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.7V @ 1毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.3 nC @ 18 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) +23伏、-7伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 182 pF@800 V
- 供应商设备包装 PG-TO247-4-1
IMZ120R350M1HXKSA1 产品详情
双双极晶体管
IMZ120R350M1HXKSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IMZ4T108 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 32伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.11468 |
 | IMZ1AT108 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.21801 |
 | IMZ2A_R1_00001 | 强茂 (Panjit) | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.53502 |
| IMZ1AS_S1_00001 | 强茂 (Panjit) | 晶体管类别: NPN、PNP互补 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.7523 |
| IMZ1AS-AU_S1_000A1 | 强茂 (Panjit) | 晶体管类别: NPN、PNP互补 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
 | IMZ2AT108 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
 | IMZA65R027M1HXKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH | ¥158.90488 |
| IMZ120R350M1HXKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-4-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥41.88931 |
| IMZ1AFRAT108 | 罗姆 (Rohm) | ¥0.47731 | |
| IMZ120R045M1 | 英飞凌 (Infineon) | -- | ¥226.96042 |
IMZ120R350M1HXKSA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IMZ120R350M1HXKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IMZ120R350M1HXKSA1价格参考￥41.889312，你可以下载 IMZ120R350M1HXKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IMZ120R350M1HXKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
