Vishay的E系列功率MOSFET是高压晶体管，具有超低的最大导通电阻、低品质因数和快速切换。它们有多种电流等级。典型应用包括服务器和电信电源、LED照明、回扫转换器、功率因数校正（PFC）和开关模式电源（SMPS）。
特征低品质因数（FOM）RDS（on）x Qg
低输入电容（Cis）
低导通电阻（RDS（开启））
超低栅极电荷（Qg）
快速切换
减少开关和传导损耗
SIHB35N60E-GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 48.52743 | 48.52743 |
| 10+ | 43.60950 | 436.09501 |
| 100+ | 35.73284 | 3573.28470 |
| 500+ | 30.41873 | 15209.36550 |
| 1000+ | 27.48680 | 27486.80600 |
- 库存: 565
- 单价: ¥48.52743
-
数量:
- +
- 总计: ¥48.53
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 32A (Tc)
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 最大功耗 250W（Tc）
- 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 导通电阻 Rds(ON) 94毫欧姆@17A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 132 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2760 pF@100 V
SIHB35N60E-GE3 产品详情
N沟道MOSFET，E系列，低品质因数，Vishay半导体
SIHB35N60E-GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SIHD6N80E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.15167 |
 | SIHA11N80E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥26.87116 |
 | SIHG30N60E-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.00429 |
 | SIHB33N60EF-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 278W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.32415 |
 | SIHP100N60E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥37.80794 |
 | SIHB100N60E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.4598 |
 | SIHF065N60E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥51.93159 |
 | SIHB21N65EF-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.53223 |
 | SIHP120N60E-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 179W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥39.11166 |
 | SIHF12N50C-E3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥39.90838 |
SIHB35N60E-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SIHB35N60E-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIHB35N60E-GE3价格参考￥48.527430，你可以下载 SIHB35N60E-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIHB35N60E-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
