9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHW47N60E-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHW47N60E-GE3参考价格为10.21000美元。Vishay Siliconix SIHW47N60E-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD。您可以下载SIHW47N60E-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SiHS90N65E-E3带有引脚细节，包括E系列，它们设计用于卷筒包装，安装样式如数据表注释所示，用于通孔，提供E系列等商品名功能，包装盒设计用于TDFN-4以及Si技术，该设备也可作为1信道数信道使用。此外，该配置为1个N沟道，该器件为1个N-沟道晶体管类型，该器件具有625 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为267 ns，上升时间为152 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为87 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为325ns，典型接通延迟时间为85ns，Qg栅极电荷为394nC，正向跨导最小值为32S，沟道模式为增强。
SIHU3N50D-E3是MOSFET 500V3.2ohm@10V3A N-Ch D-SRS，包括5 V Vgs栅极-源极电压，设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640 oz，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该器件也可以用作E系列。此外，Rds漏极-源极电阻为3.2欧姆，器件提供6 nC Qg栅极电荷，器件具有104 W的Pd功耗，部件别名为SIHU3N50D-GE3，封装为管，封装盒为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为3A，配置为单通道。
带有电路图的SIHS20N50C-E3，包括1个通道数量的通道，它们设计用于E系列，数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N通道，晶体管类型设计用于1个N通道。
SIHUB-8是电机驱动控制器，包括SINET-HUB-8 SINETHUB8 SINETHUC8（1000-169）部件别名。
