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ISC058N04NM5ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta)、63A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 42W (Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8 FL 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 10.06763 10.06763
10+ 8.96671 89.66710
100+ 6.99229 699.22960
500+ 5.77650 2888.25100
1000+ 5.06713 5067.13300
5000+ 5.06713 25335.66500
  • 库存: 14997
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  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.07
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 供应商设备包装 PG-TDSON-8 FL
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16 nC @ 10 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 7V, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 17A(Ta)、63A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.8毫欧姆 @ 31A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.4V@13A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1100 pF@20 V
  • 最大功耗 3W (Ta), 42W (Tc)

ISC058N04NM5ATMA1 产品详情

ISC058N04NM5ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ISC058N04NM5ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ISC058N04NM5ATMA1价格参考¥10.067631,你可以下载 ISC058N04NM5ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ISC058N04NM5ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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