9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHG80N60E-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHG80N60E-GE3参考价格12.53000美元。Vishay Siliconix SIHG80N60E-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC。您可以下载SIHG80N60E-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHG47N60E-GE3是MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC，包括E系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供安装类型功能，如通孔，商品名设计用于E系列，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为357 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Id连续漏极电流为47 a，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Rds漏极-源极电阻为64mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为148nC。
SIHG73N60E-GE3是MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于1.340411盎司单位重量的工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于E系列以及Si技术，该设备也可以用作E系列。此外，Rds漏极-源极电阻为39 mOhm，该器件提供241 nC Qg栅极电荷，该器件具有520 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为73 A，配置为单一。
带有电路图的SiHG64N65E-GE3，包括1个通道数量的通道，它们设计用于E系列，数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N通道，晶体管类型设计用于1个N通道。
SIHG47N60S-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIHG47N60S-E3提供*封装，是IC芯片的一部分。
