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FQU4N50TU

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、45W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 431

数量 单价 合计
431+ 5.07003 2185.18293
  • 库存: 27877
  • 单价: ¥5.07003
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,185.18
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 500 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 包装/外壳 TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC@10 V
  • 供应商设备包装 I-PAK
  • 最大功耗 2.5W(Ta)、45W(Tc)
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.6A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.7欧姆@1.3A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 460 pF @ 25 V

FQU4N50TU 产品详情

FQU4N50TU所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQU4N50TU 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQU4N50TU价格参考¥5.070030,你可以下载 FQU4N50TU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQU4N50TU规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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