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FQPF3N25是MOSFET N-CH 250V 2.3A TO-220F，包括管封装，它们设计用于单位重量为0.080072盎司的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供27 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为2.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds漏极漏极-漏极电阻为2.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为5.5ns，典型接通延迟时间为6.6ns，正向跨导最小值为1.4S，沟道模式为增强。
FQPF34N20是STMRC制造的MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F。FQPF34N20采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F、N沟道200V 17.5V（Tc）55W（Tc）通孔TO-220F。
FQPF34N20L是FSC制造的MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F。FQPF34N20L采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 200V 17.5A TO-220F、N沟道200V 17.5V（Tc）55W（Tc）通孔TO-220F、Trans MOSFET N-CH200V 17.5A/3-Pin（3+Tab）TO-220F。
