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FQD16N15TM

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.8A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),55W(Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 566

数量 单价 合计
566+ 3.83873 2172.72514
  • 库存: 1947
  • 单价: ¥3.83874
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,172.73
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电压标 (Vdss) 150伏
  • 供应商设备包装 TO-252,(D-Pak)
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 11.8A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 160毫欧姆@5.9A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 910 pF@25 V
  • 最大功耗 2.5W(Ta),55W(Tc)

FQD16N15TM 产品详情

FQD16N15TM所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQD16N15TM 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQD16N15TM价格参考¥3.838737,你可以下载 FQD16N15TM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQD16N15TM规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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