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FQP6N40CF是MOSFET N-CH 400V 6A TO-220，包括管封装，它们设计用于与FQP6N40CF_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有73 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为65 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为6 a，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为13ns，正向跨导最小值为4.7S，沟道模式为增强。
FQP6N40C是MOSFET N-CH 400V 6A TO-220，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在400 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为21 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为65 ns，器件的漏极-源极电阻为1欧姆，Pd功耗为73 W，零件别名为FQP6N40C_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6 A，正向跨导最小值为4.7 S，下降时间为38 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQP6N40，电路图由FSC制造。FQP6N40在TO-220封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQP6N50，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FQP6N50在TO220封装中提供，是IC芯片的一部分，N通道500V 5.5A（Tc）98W（Tc）通孔TO-220-3，Trans MOSFET N-CH 500V 5.5A 3引脚（3+Tab）TO-220AB导轨。
