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FQD2P40TM

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.56A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、38W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.46018 7.46018
10+ 6.64173 66.41739
100+ 5.17650 517.65010
500+ 4.27635 2138.17650
1000+ 3.58074 3580.74500
2500+ 3.58074 8951.86250
  • 库存: 52468
  • 单价: ¥7.46019
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.46
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 场效应管类型 P-通道
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC@10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 400伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 350 pF @ 25 V
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.56A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.5欧姆 @ 780毫安, 10V
  • 最大功耗 2.5W(Ta)、38W(Tc)

FQD2P40TM 产品详情

该P沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻,并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特色

  • -1.56A,400V,RDS(开启)=6.5Ω(最大值)@VGS=-10 V,ID=-0.78A
  • 低栅极电荷(典型值10nC)
  • 低铬(典型值6.5pF)
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS

应用

  • 照明
FQD2P40TM所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQD2P40TM 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQD2P40TM价格参考¥7.460187,你可以下载 FQD2P40TM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQD2P40TM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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