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FQP2N80是MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220，包括管封装，它们设计为与FQP2N80_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在TO-220-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有85 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为2.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为12ns，正向跨导最小值为2.65S，沟道模式为增强型。
FQP2N90是MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为35 ns，器件的漏极-源极电阻为7.2欧姆，Pd功耗为85 W，零件别名为FQP2N90_NL，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2.2 A，正向跨导最小值为2 S，下降时间为30 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQP2N60C是MOSFET N-CH 600V 2A TO-220，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于28 ns，提供正向跨导最小特性，如5 S，Id连续漏极电流设计为在2 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-220-3封装盒，封装为管，零件别名为FQP2N60C_NL，Pd功耗为54 W，漏极电阻为4.7欧姆，上升时间为25 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为9ns，单位重量为0.063493oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为30V。
FQP2N70，带有FSC制造的EDA/CAD模型。FQP2N70采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
