STD3NK60ZT4

Name: STD3NK60ZT4
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7127589-STD3NK60ZT4
Price: 2.630621 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Tc）最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
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规格参数

场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
最大功耗 45W (Tc)
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
漏源电压标 (Vdss) 600 V
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
部件状态不适用于新设计
供应商设备包装 DPAK
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 50A
漏源电流 (Id) @ 温度 2.4A（Tc）
导通电阻 Rds(ON) 3.6欧姆 @ 1.2A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.8 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 311 pF @ 25 V

STD3NK60ZT4 产品详情

这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET，使用STMicroelectronics的SuperMESH技术开发，这是对成熟的PowerMESH的优化。除了导通电阻的显著降低外，这些器件的设计确保了高水平的dv/dt能力，以满足最苛刻的应用。

特色

极高的dv/dt能力
100%雪崩测试
网关费用最小化
Verylowintrinsic电容
齐纳保护

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型号	制造商	描述	价格
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STD3055L104T4G	安盛美 (onsemi)	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-3	¥169.87498
STD110N02RT4G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 24伏漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta）、110W（Tc）供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.40416
STDLED627	意法半导体 (STMicroelectronics)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥56.69742
STD20NF06L	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.66974
STDP9320-BB	意法半导体 (STMicroelectronics)		¥218.39009

STD3NK60ZT4所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD3NK60ZT4 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD3NK60ZT4价格参考￥2.630621，你可以下载 STD3NK60ZT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD3NK60ZT4规格参数、现货库存、封装信息等信息！