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FQD1N60CTM是MOSFET N-CH 600V 1A DPAK，包括QFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于FQD1N6OCTM_NL，提供单位重量功能，如0.009184盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-252-3，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为170pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1A（Tc），最大Id Vgs的Rds为11.5 Ohm@500mA、10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为6.2nC@10V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为27ns，上升时间为21ns，Vgs栅源电压为30V，Id连续漏电流为1A，Vds漏源击穿电压为600V，Rds漏源电阻为11.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为7ns，正向跨导最小值为0.75S，信道模式为增强。
FQD1N60C，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FQD1N60C采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
FQD1N60CTF是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 600V 1A DPAK。FQD1N60CTF采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 1A DPak、N通道600V 1A（Tc）2.5W（Ta）、28W（Tc）表面安装D-Pak、Trans MOSFET N-CH600V 1A 3-Pin（2+接线片）DPak T/R。
