9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计和生产的UPA2680T1E-E2-AT，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。UPA2680T1E-E2-AT参考价格为0.55000美元。Renesas Electronics America Inc UPA2680T1E-E2-AT封装/规格：MOSFET N-CH 20V 3A 6MLP。您可以下载UPA2680T1E-E2-AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UPA2670T1R-E2-AX是MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于与6-WFDFN暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于6-HUSON（2x2）以及2 P通道（双）FET类型，该器件还可以用作2.3W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供473pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有逻辑电平门，1.8V FET驱动功能，电流连续漏极Id 25°C为3A，最大Id Vgs的Rds为79 mOhm@1.5A，4.5V，栅极电荷Qg-Vgs为5.1nC@4.5V。
UPA2672T1R-E2-AX是MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON，包括6-HUSON（2x2）供应商设备包，它们设计为在67mOhm@2A、4.5V Rds On Max Id Vgs的情况下工作，最大功率显示在数据表注释中，用于2.3W，提供包装功能，如磁带和卷轴（TR），包装箱设计为在6-WFDFN暴露垫中工作，它的工作温度范围为150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，输入电容Ciss Vds为486pF@10V，该器件提供5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，该器件具有2个P沟道（双）FET类型，FET特性为逻辑电平门，1.8V驱动，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为4A。
UPA2680，带有NEC制造的电路图。UPA2680采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
