Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥62.13974 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥62.13974 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.70789 | 1086000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.75076 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.2A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-VSOF 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.70789 | 180000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.75076 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.70789 | 180000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.75076 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.71730 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,793.25250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.80197 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,405.91000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 8-VSOF 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.85274 | 84000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.58709 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.85274 | 60649 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.58709 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | ¥4.85274 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.58709 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 28W(Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.92517 | 21000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.92517 | 8430 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.07568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: 8-WPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.07003 | 2246571 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 供应商设备包装: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold | ¥0.86915 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.43063 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RF N-CHANNEL MOSFET | ¥1.59344 | 963000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92161 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥5.07003 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | ¥2.60744 | 60000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.59344 | 221382 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92161 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.01401 | 83090 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,227.77118 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RF N-CHANNEL MOSFET | ¥2.10044 | 75000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.85599 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 供应商设备包装: 6-WSOF | ¥2.60744 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 |