Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥2.75230 | 33942 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 8-HUSON (2.7x2) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.75230 | 24000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.75230 | 3572 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.23129 | 245999 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥4.20088 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.05688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 供应商设备包装: SC-75-3,USM | ¥1.73830 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | ¥1.23129 | 123000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RF N-CHANNEL MOSFET | ¥1.23129 | 78000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.23129 | 59755 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥2.24530 | 738900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,193.65712 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RF N-CHANNEL MOSFET | ¥1.23129 | 54000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.61309 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥2.24530 | 36000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,193.65712 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥2.24530 | 33000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,193.65712 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥2.24530 | 27000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,193.65712 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥9.05363 | 1878 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.05363 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta),20W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥3.47659 | 22000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥24.26372 | 49366 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥24.48100 | 4180 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.80918 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 27.7W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥24.69829 | 128813 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.44943 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥25.71230 | 12407 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.54508 | 添加到BOM 立即询价 |